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联电于2019年收购富士通三重工厂,并在去年宣布与日本电装合作在该厂生产功率半导体。报道称,联电计划建设的新生产线最早将于2025年投入使用,预计将采用22/28纳米工艺、使用300毫米晶圆。

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联电发言人表示,公司致力于扩大在日本的产能,但仍在评估是否需要在当地新建工厂。(文章来源:界面新闻)文章来源:界面新闻责任编辑:43原标题:联电拟在日本追加投资37亿美元,用于新建芯片生产设施郑重声明:东方财富发布此内容旨在传播更多信息,与本站立场无关,不构成投资建议。

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